Cypress Semiconductor MoBL?超可靠異步SRAM

Cypress MoBL?超可靠異步SRAM的性能可滿(mǎn)足各種高可靠性工業(yè)、通信、數據處理、醫療、消費和軍事應用的需求。這些SRAM可采用片上ECC。這些器件在外形、適用性和功能上與上一代異步SRAM兼容。這樣即可提高系統可靠性，無(wú)需PCB重新設計投資。該器件系列將快速異步SRAM的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間與獨特的超低功耗睡眠模式 (PowerSnooze?) 結合在一起。通過(guò)這些Cypress快速SRAM，在異步SRAM應用中無(wú)需在性能和功耗之間進(jìn)行權衡。通過(guò)被稱(chēng)為PowerSnooze的全新超低功耗休眠模式，可以充分發(fā)揮現有產(chǎn)品系列的特性。PowerSnooze是標準異步SRAM工作模式（活動(dòng)、待機和數據保留）的另一個(gè)工作模式。深度睡眠引腳 (DS#) 支持在高性能活動(dòng)模式和超低功耗PowerSnoze模式之間切換器件。4Mb器件上的深度睡眠電流低至15μA，具有PowerSnooze功能的快速SRAM將快速和微功耗SRAM的優(yōu)異特性融合在一個(gè)器件中。

這款新一代異步SRAM器件采用 (38,32) 漢明代碼ECC，用于單位誤差檢測和校正。這些超可靠異步SRAM中的硬件ECC塊可在線(xiàn)執行所有ECC相關(guān)功能，無(wú)需用戶(hù)干預。較高能量外部輻射可以將多個(gè)相鄰位翻轉，從而導致多位誤差。誤差校正碼的單位誤差檢測和校正功能由一個(gè)位交錯方案補充，防止出現多位誤差。這些特性共同顯著(zhù)提高了軟誤差率 (SER) 性能，實(shí)現了低于0.1FIT/Mb的出色FIT率。

特性

· 軟誤差速率 < 0.1FIT/Mb，可靠性高

· ERR引腳，用于指示單位誤差

· 密度選項：4Mb、8Mb、16Mb

· 快速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間：10ns

· 超低待機電流：8.7μA (4Mb MoBL?)

· 總線(xiàn)寬度配置：x8、x16和x32

· 寬工作電壓范圍：1.8V至5.0V

· 工業(yè)和汽車(chē)溫度等級

應用

· 工業(yè)自動(dòng)化和控制

· 多功能外設 (MFP)

· 汽車(chē)信息娛樂(lè )

· 汽車(chē)ADAS

框圖