Cypress Semiconductor 非易失性串行F-RAM

Cypress Semiconductor串行F-RAM（鐵電RAM）存儲器將ROM的非易失性數據存儲能力與RAM的快速相結合。串行F-RAM具有多種接口和密度選項，包括SPI和I2C接口、行業(yè)標準封裝以及4KB-4MB密度范圍。Cypress串行F-RAM與其它非易失性存儲技術(shù)相比具有三項獨特的優(yōu)勢：寫(xiě)入速度快、耐久性極強和功耗低。串行F-RAM具有100萬(wàn)億次寫(xiě)入周期，大大超過(guò)了EEPROM的100萬(wàn)次寫(xiě)入周期極限。因此，不需要采用損耗均衡技術(shù)，即可在產(chǎn)品的整個(gè)生命周期內提供支持。

這些器件采用鐵電材料，能夠耐受暴露在輻射和磁場(chǎng)環(huán)境的影響。該器件不會(huì )產(chǎn)生軟錯誤率，因此是MRAM的出色替代品。這些F-RAM器件主要用于任務(wù)關(guān)鍵型應用， 包括智能電表、汽車(chē)電子、工業(yè)控制以及自動(dòng)化設備、多功能打印機和便攜式醫療器械。

特性

· 寫(xiě)入速度快，沒(méi)有寫(xiě)入延遲

· 即時(shí)非易失

· 100萬(wàn)億次讀寫(xiě)周期

· 3mA低有功電流和6μA低待機電流

· 不需要電池或電容器

· 不需要采用損耗均衡技術(shù)

· 可耐受固有伽瑪輻射

· 151年數據保留期

· 可供應符合汽車(chē)類(lèi)AEC-Q100標準的零件

應用

· 任務(wù)關(guān)鍵型應用

· 智能電表

· 汽車(chē)電子設備

· 工業(yè)控制和自動(dòng)化設備

· 多功能打印機和便攜式醫療設備