產(chǎn)品型號:XC6SLX75-2CSG484I產(chǎn)品型號 XC7S50-1CSGA324I產(chǎn)品型號:XC7Z100-1FFG900I產(chǎn)品型號:XCZU15EG-2FFVC900IXILINX產(chǎn)品型號:5AGTFD3H3F35I5N產(chǎn)品型號:5M2210ZF324C5N產(chǎn)品型號:EP4CE75U19I7N產(chǎn)品型號:5CGXFC5C6F27C7NALTERA/INTEL產(chǎn)品型號:LT3950JMSE#PBF產(chǎn)品型號:ADPD2140BCPZN-R7產(chǎn)品型號:LTC2068IF#PBF產(chǎn)品型號:LTM8005EY#PBFAnalog Devices產(chǎn)品型號:TPS78401QDBVRQ1產(chǎn)品型號:TPS7A1119PYKAR產(chǎn)品型號:TPS74615PQWDRBRQ1產(chǎn)品型號:DP83TD510ERHBRTI產(chǎn)品型號:CY62187G30-55BAXI產(chǎn)品型號:CYT2B75CADQ0AZEGS產(chǎn)品型號:FM3164-G產(chǎn)品型號:CYPAS111A1-24LQXQCypress產(chǎn)品型號:AL1783T16E-13產(chǎn)品型號:LM2903QTH-13產(chǎn)品型號:AL1783T16E-13產(chǎn)品型號:SMCJ28CAQ-13-FDIODES產(chǎn)品型號:S1D13L01F00A100產(chǎn)品型號:RX8804CE:XB3產(chǎn)品型號:SG3225EEN 25.000000M-CJGA3產(chǎn)品型號:S1C17W18F101100EPSON產(chǎn)品型號:XR46004ETCTR-Q產(chǎn)品型號:XR31235EDEVB產(chǎn)品型號:88LX2741A0-NYC2I000產(chǎn)品型號:GPY215B1VIEXAR產(chǎn)品型號:LSP10277P產(chǎn)品型號:QV6016RH4TP產(chǎn)品型號:ITV9550L5030MR產(chǎn)品型號:MITI-7-10-15Littelfuse產(chǎn)品型號:MLX90392產(chǎn)品型號:MLX91221產(chǎn)品型號:MLX75026產(chǎn)品型號:MLX91220Melexis產(chǎn)品型號:MAX49921FATA/VY+產(chǎn)品型號:MAX98360CENL+產(chǎn)品型號:MAX40016ATE+產(chǎn)品型號:MAX98374EFF+Maxim產(chǎn)品型號:MSL2042GU產(chǎn)品型號:AT25010B-MAHL-E產(chǎn)品型號:ATMEGA3209-MUR產(chǎn)品型號:ATTINY806-SNMicrochip產(chǎn)品型號:MT61K256M32JE-12:A產(chǎn)品型號:MT25TL256BBA8ESF-0AAT TR產(chǎn)品型號:MT60B4G4HB-48B:A產(chǎn)品型號:MT42L32M32D1HE-18 AAT:DMICRON產(chǎn)品型號:IRA-S220ST01A01產(chǎn)品型號:LXES11DAA2-137產(chǎn)品型號:LXMS33HCNG-134產(chǎn)品型號:MRMS201A-001MURATA產(chǎn)品型號:LSF0102DCH產(chǎn)品型號:NCR420PASX產(chǎn)品型號:PCMF3USB3BA/CZ產(chǎn)品型號:NCR421ZXNESPERIA產(chǎn)品型號:NCL2801CDADR2G產(chǎn)品型號:FOD8480T產(chǎn)品型號:NCV21911SN2T1G產(chǎn)品型號:NCV8164AML300TCGON產(chǎn)品型號:F2270NLGK產(chǎn)品型號:ZSSC4132CE4W產(chǎn)品型號:P9242-RNDGI8產(chǎn)品型號:ZSC31150GEG1-TRENESAS產(chǎn)品型號:RP122Z281D-TR-F產(chǎn)品型號:R3154N204A-TR-R產(chǎn)品型號:RP122K331D-TR產(chǎn)品型號:RP604K281A-TRRICOH產(chǎn)品型號:SMLD12BN1WT86產(chǎn)品型號:BM1Z003FJ-E2產(chǎn)品型號:BD1020HFV-TR產(chǎn)品型號:SML-D12V8WT86CROHM產(chǎn)品型號:EFP0111GM20-DR產(chǎn)品型號:SI8621BB-B-IM1產(chǎn)品型號:Si823H3BD-IS3產(chǎn)品型號:EFR32BG21B020F512IM32-BRSILICON LABS產(chǎn)品型號:BLUENRG-M2SP產(chǎn)品型號:MASTERGAN1TR產(chǎn)品型號:LD57100J120R產(chǎn)品型號:STO67N60M6ST產(chǎn)品型號:25CSM04T-I/SN產(chǎn)品型號:SST26VF064BEUIT-104I/MF產(chǎn)品型號:MCP3561RT-E/NC產(chǎn)品型號:MCP3461T-E/STATMEL CORPORATION產(chǎn)品型號:GBK160808T-221Y-N產(chǎn)品型號:AWCU00453228201XTE產(chǎn)品型號:BWCU00201212900Y03產(chǎn)品型號:BWCU00121008900Y03YAGEO航空航天鐵路運輸煤炭化驗新能源(NE)工業(yè)自動(dòng)化汽車(chē)電子智能家居安防監控醫療設備儀器儀表5G物聯(lián)網(wǎng)智能穿戴行業(yè)新聞元器件介紹常見(jiàn)問(wèn)題公司介紹聯(lián)系方式

基本半導體推出PD快充用碳化硅二極管,極致小尺寸國內首創(chuàng )!

來(lái)源:基本半導體
文章附圖

前言

2020年,當大部分快充電源廠(chǎng)商還在探索65W氮化鎵快充市場(chǎng)時(shí),倍思開(kāi)創(chuàng )性地推出了業(yè)界首款120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產(chǎn)品,第一次將“碳化硅快充”從設想變?yōu)楝F實(shí),開(kāi)啟了碳化硅在快充領(lǐng)域商用的大門(mén)。

針對PD快充“小輕薄”的特點(diǎn),碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導體在國內率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管,該產(chǎn)品具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點(diǎn),能很好地滿(mǎn)足PD快充對器件的特殊需求。

圖1:SMBF封裝碳化硅肖特基二極管


更小體積

在PD這種極度緊湊的應用中,PCB面積極其珍貴,超薄型PD快充通常優(yōu)先選擇厚度低于2mm的表貼器件?;景雽wSMBF封裝碳化硅肖特基二極管最大的優(yōu)點(diǎn)是在PCB上的占用面積小,僅為19mm2,其長(cháng)寬高分別為5.3mm*3.6mm*1.35mm,比SMB封裝(厚度2.3mm)更薄,比DFN系列和TO-252封裝面積更小。

基于不同功率的需求,客戶(hù)可以靈活地選用3A/4A的器件,或者并聯(lián)使用(碳化硅肖特基二極管的VF為正溫度系數,適合并聯(lián))??偟膩?lái)說(shuō),從厚度以及PCB占用面積來(lái)看,SMBF的尺寸更契合PD“小輕薄”的特點(diǎn)。


圖2:SMBF尺寸圖



表1:幾種常用的緊湊型二極管封裝尺寸對比表


采用Clip Bond焊接工藝

SMBF封裝碳化硅肖特基二極管采用Clip Bond焊接工藝,該工藝將器件的引線(xiàn)框架與芯片的上下表面分別進(jìn)行焊接實(shí)現連接。與傳統的芯片上表面打鋁綁定線(xiàn)的連接技術(shù)相比, Clip Bond工藝具有以下技術(shù)優(yōu)勢:

芯片上下表面與管腳的連接采用固體銅片焊接,上表面用銅片取代鋁綁定線(xiàn),可以獲得更低的封裝電阻、更高的通流能力和更好的導熱性能;這實(shí)際上是一種芯片的雙面散熱的方式,導熱效率明顯提升;

產(chǎn)品外形與傳統SMB器件接近,PCB布局上兩者可以兼容,實(shí)現應用端的無(wú)縫替代;

圖3:SMBF截面示意圖



低正向導通壓降

基本半導體TO-252封裝B1D04065E型號碳化硅肖特基二極管已在PD行業(yè)批量應用,此次新推出的SMBF封裝B2D04065V產(chǎn)品與之相比具有更低的正向導通電壓(參見(jiàn)表2)。值得注意的是,B1D04065E為基本半導體第一代碳化硅二極管產(chǎn)品,B2D04065V為第二代碳化硅二極管,其主要改進(jìn)點(diǎn)是采用了襯底減薄工藝,使二極管的VF顯著(zhù)下降。

表2:B1D04065E和B2D04065V導通壓降對比



B1D04065E: △VF(Tj=150℃- Tj=25℃ )=0.25V;

B2D04065V: △VF(Tj=150℃- Tj=25℃ )=0.20V;

通過(guò)對比SMBF和TO-252的△VF ,△VF –SMBF<△VF –TO-252 ,B2D04065V的VF和Tj的依賴(lài)性更好,高溫下的導通損耗更低。

圖3:IF VS. VF特性圖



高浪涌電流能力IFSM

在PFC電路中,升壓二極管需要應對電網(wǎng)接入瞬間的電流沖擊。全球電網(wǎng)工頻主要采用50Hz和60Hz,以50Hz工頻電網(wǎng)為例,其一個(gè)周期內半波脈寬為10ms,器件應用在50Hz電網(wǎng)對應的PFC電路中時(shí),需要標定10ms正弦波浪涌電流能力IFSM,而應用在60Hz電網(wǎng)對應的PFC電路中時(shí),需要標定8.3ms正弦波浪涌電流能力。

圖4:PFC電路升壓二極管浪涌沖擊示意圖



設備接入電網(wǎng)瞬間,PFC升壓電流中的濾波電容近似短路,電網(wǎng)電壓接入后,會(huì )形成上圖中的紅色電流路徑(路徑之一);

沖擊電流的大小同電壓接入的時(shí)間點(diǎn)有直接關(guān)聯(lián);

當設備接入電網(wǎng)時(shí),二極管開(kāi)始承受沖擊電流,在正弦波波峰承受的沖擊電流最大。

表3:B1D04065E和B2D04065V浪涌電流能力IFSM對比



基本半導體首款基于SMBF封裝650V 4A的碳化硅肖特基二極管已經(jīng)面世,650V系列將逐步推出2-6A規格產(chǎn)品。





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