基本半導體推出PD快充用碳化硅二極管,極致小尺寸國內首創(chuàng )!來(lái)源:基本半導體
前言 2020年,當大部分快充電源廠(chǎng)商還在探索65W氮化鎵快充市場(chǎng)時(shí),倍思開(kāi)創(chuàng )性地推出了業(yè)界首款120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產(chǎn)品,第一次將“碳化硅快充”從設想變?yōu)楝F實(shí),開(kāi)啟了碳化硅在快充領(lǐng)域商用的大門(mén)。
針對PD快充“小輕薄”的特點(diǎn),碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導體在國內率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管,該產(chǎn)品具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點(diǎn),能很好地滿(mǎn)足PD快充對器件的特殊需求。 圖1:SMBF封裝碳化硅肖特基二極管 更小體積 在PD這種極度緊湊的應用中,PCB面積極其珍貴,超薄型PD快充通常優(yōu)先選擇厚度低于2mm的表貼器件?;景雽wSMBF封裝碳化硅肖特基二極管最大的優(yōu)點(diǎn)是在PCB上的占用面積小,僅為19mm2,其長(cháng)寬高分別為5.3mm*3.6mm*1.35mm,比SMB封裝(厚度2.3mm)更薄,比DFN系列和TO-252封裝面積更小。 基于不同功率的需求,客戶(hù)可以靈活地選用3A/4A的器件,或者并聯(lián)使用(碳化硅肖特基二極管的VF為正溫度系數,適合并聯(lián))??偟膩?lái)說(shuō),從厚度以及PCB占用面積來(lái)看,SMBF的尺寸更契合PD“小輕薄”的特點(diǎn)。 圖2:SMBF尺寸圖 表1:幾種常用的緊湊型二極管封裝尺寸對比表 采用Clip Bond焊接工藝 SMBF封裝碳化硅肖特基二極管采用Clip Bond焊接工藝,該工藝將器件的引線(xiàn)框架與芯片的上下表面分別進(jìn)行焊接實(shí)現連接。與傳統的芯片上表面打鋁綁定線(xiàn)的連接技術(shù)相比, Clip Bond工藝具有以下技術(shù)優(yōu)勢:
芯片上下表面與管腳的連接采用固體銅片焊接,上表面用銅片取代鋁綁定線(xiàn),可以獲得更低的封裝電阻、更高的通流能力和更好的導熱性能;這實(shí)際上是一種芯片的雙面散熱的方式,導熱效率明顯提升; 產(chǎn)品外形與傳統SMB器件接近,PCB布局上兩者可以兼容,實(shí)現應用端的無(wú)縫替代; 圖3:SMBF截面示意圖 低正向導通壓降 基本半導體TO-252封裝B1D04065E型號碳化硅肖特基二極管已在PD行業(yè)批量應用,此次新推出的SMBF封裝B2D04065V產(chǎn)品與之相比具有更低的正向導通電壓(參見(jiàn)表2)。值得注意的是,B1D04065E為基本半導體第一代碳化硅二極管產(chǎn)品,B2D04065V為第二代碳化硅二極管,其主要改進(jìn)點(diǎn)是采用了襯底減薄工藝,使二極管的VF顯著(zhù)下降。 表2:B1D04065E和B2D04065V導通壓降對比 B1D04065E: △VF(Tj=150℃- Tj=25℃ )=0.25V; B2D04065V: △VF(Tj=150℃- Tj=25℃ )=0.20V; 通過(guò)對比SMBF和TO-252的△VF ,△VF –SMBF<△VF –TO-252 ,B2D04065V的VF和Tj的依賴(lài)性更好,高溫下的導通損耗更低。
圖3:IF VS. VF特性圖 高浪涌電流能力IFSM 在PFC電路中,升壓二極管需要應對電網(wǎng)接入瞬間的電流沖擊。全球電網(wǎng)工頻主要采用50Hz和60Hz,以50Hz工頻電網(wǎng)為例,其一個(gè)周期內半波脈寬為10ms,器件應用在50Hz電網(wǎng)對應的PFC電路中時(shí),需要標定10ms正弦波浪涌電流能力IFSM,而應用在60Hz電網(wǎng)對應的PFC電路中時(shí),需要標定8.3ms正弦波浪涌電流能力。 圖4:PFC電路升壓二極管浪涌沖擊示意圖 設備接入電網(wǎng)瞬間,PFC升壓電流中的濾波電容近似短路,電網(wǎng)電壓接入后,會(huì )形成上圖中的紅色電流路徑(路徑之一); 沖擊電流的大小同電壓接入的時(shí)間點(diǎn)有直接關(guān)聯(lián); 當設備接入電網(wǎng)時(shí),二極管開(kāi)始承受沖擊電流,在正弦波波峰承受的沖擊電流最大。 表3:B1D04065E和B2D04065V浪涌電流能力IFSM對比 基本半導體首款基于SMBF封裝650V 4A的碳化硅肖特基二極管已經(jīng)面世,650V系列將逐步推出2-6A規格產(chǎn)品。 |